2SA1188-D

更新时间： 2024-01-16 13:52:09

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日立 - HITACHI		/
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5页	27K
描述
SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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2SA1188-D 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1188-D 数据手册

2SA1188, 2SA1189

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SA1188

–90

2SA1189

–120

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–90

–120

–5

–100

100

–100

°C

Emitter current

I_E

100

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

150

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

2SA1188

2SA1189

Item

Symbol Min Typ Max Min Typ Max Unit Test conditions

Collector to base

breakdown voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

–90

–5

—

–120

–5

—

I_C= –10 µA, I_E= 0

I_C= –1 mA, R_BE= ∞

I_E= –10 µA, I_C= 0

Collector to emitter

breakdown voltage

Emitter to base

breakdown voltage

Collector cutoff current I_CBO

Emitter cutoff current I_EBO

DC current trnsfer ratio h_FE*¹

—

–0.1

800

—

–0.1 µA

800

V_CB= –70 V, I_E= 0

V_EB= –2 V, I_C= 0

—

250

V_CE= –12 V,

I_C= –2 mA*²

Collector to emitter

saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

—

–0.05 –0.15 —

–0.05 –0.15 V

–0.7 –1.0 V

I_C= –10 mA,

I_B= –1 mA*²

Base to emitter

saturation voltage

–0.7 –1.0

—

Gain bandwidth product f_T

130

3.2

—

130

3.2

—

MHz V_CE= –6 V,

I_C= –10 mA

Collector output

capacitance

Cob

V_CB= –10 V, I_E= 0,

f = 1 MHz

Notes: 1. The 2SA1188 and 2SA1189 are grouped by h_FEas follows.

2. Pulse test

250 to 500

400 to 800

See characteristic curves of 2SA1190 and 2SA1191.

123 4 5

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与2SA1188-D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1188DRF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1188DRR	RENESAS	100mA, 90V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	获取价格
2SA1188DTZ-E	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1188E	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 90V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SA1188-E	HITACHI	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA1188ERF	RENESAS	100mA, 90V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	获取价格