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2SA1083D

更新时间： 2024-02-25 00:46:51

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其他 - ETC		晶体晶体管
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8页	42K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92

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2SA1083D 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

2SA1083D 数据手册

2SA1083, 2SA1084, 2SA1085

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

2SA1083

2SA1084

2SA1085

Item

Symbol Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Unit Test conditions

Collector to base

V_(BR)CBO–60

V_(BR)CEO–60

V_(BR)EBO–5

—

–90

–5

—

–120 —

—

I_C= –10 µA, I_E= 0

breakdown voltage

Collector to emitter

breakdown voltage

–120 —

I_C= –1 mA,

R_BE= ∞

Emitter to base

–5

—

I_E= –10 µA, I_C= 0

breakdown voltage

Collector cutoff current I_CBO

Emitter cutoff current I_EBO

DC current transfer ratio h_FE

—

–0.1

—

–0.1

800

—

–0.1 µA

800

V_CB= –50 V, I_E= 0

V_EB= –2 V, I_C= 0

—

250

800 250

250

V_CE= –12 V,

I_C= –2 mA

Collector to emitter

saturation voltage

V_CE(sat)

—

–0.2

—

–0.2

—

–0.2

—

I_C= –10 mA,

I_B= –1 mA

Base to emitter voltage V_BE

–0.6

V_CE= –12 V,

I_C= –2 mA

Gain bandwidth product f_T

—

MHz V_CE= –12 V,

I_C= –2 mA

Collector output

capacitance

Cob

3.5

0.5

—

3.5

0.5

—

3.5

0.5

—

V_CB= –10 V, I_E= 0,

f = 1 MHz

Noise voltage reffered e_n

to input

—

nV/ V_CE= –6V,

√Hz I_C= –10 mA,

f = 1 kHz,

R_g= 0, ∆f = 1Hz

Note: 1. The 2SA1083, 2SA1084 and 2SA1085 are grouped by h_FEas follows.

250 to 500

400 to 800

1 234 5 6 7 8

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2SA1083DRR	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格