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2SA1037

更新时间： 2024-02-17 16:59:11

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	310K
描述
Silicon Epitaxial Planar Transistor

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2SA1037 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1037 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor

2SA1037

FEATURES

Lead-free

Low I_C.ICMAX.=-150mA.

Low V_CE(sat).Ideal for low-voltage operation.

APPLICATIONS

Ideal for low-voltage operation.

SOT-23

ORDERING INFORMATION

Type No.

2SA1037

Marking

FQ,FR,FS

Package Code

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

-60

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

-50

-6

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

-150

200

℃

P_C

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Document number: BL/SSSTC013

Rev.A

www.galaxycn.com

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