2SA1030-C

更新时间： 2024-02-28 11:09:20

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日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管
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5页	27K
描述
SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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2SA1030-C 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1030-C 数据手册

2SA1029, 2SA1030

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SA1029

–30

2SA1030

–55

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–30

–50

–5

–100

100

–100

100

°C

Emitter current

I_E

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

300

150

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

2SA1029

2SA1030

Item

Symbol Min Typ Max Min Typ Max Unit Test conditions

Collector to base

breakdown voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

–30

–5

—

–55

–50

–5

—

I_C= –10 µA, I_E= 0

I_C= –1 mA, R_BE= ∞

I_E= –10 µA, I_C= 0

Collector to emitter

breakdown voltage

Emitter to base

breakdown voltage

Collector cutoff current I_CBO

Emitter cutoff current I_EBO

DC current trnsfer ratio h_FE*¹

—

–0.5

500

—

–0.5 µA

320

V_CB= –18 V, I_E= 0

V_EB= –2 V, I_C= 0

—

100

V_CE= –12 V,

I_C= –2 mA

Base to emitter voltage V_BE

—

–0.8

–0.2

—

–0.8

–0.2

—

V_CE= –12 V,

I_C= –2 mA

Collector to emitter

saturation voltage

V_CE(sat)

—

I_C= –10 mA,

I_B= –1 mA

Gain bandwidth product f_T

200 280

3.3

200

—

280

3.3

MHz V_CB= –12 V,

I_C= –2 mA

Collector output

capacitance

Cob

—

4.0

V_CB= –10 V, I_E= 0,

f = 1 MHz

Note: 1. The 2SA1029 and 2SA1030 are grouped by h_FEas follows.

2SA1029

2SA1030

100 to 200

160 to 320

250 to 500

—

See characteristic curves of 2SA1031 and 2SA1032.

123 4 5

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与2SA1030-C相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1030CRF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1030CRF	RENESAS	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	获取价格
2SA1030CRR	RENESAS	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	获取价格
2SA1030CTZ	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1030RF	RENESAS	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
2SA1030RR	RENESAS	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格