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2PA1576Q

更新时间: 2024-01-06 20:09:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
PNP general purpose transistor

2PA1576Q 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.61最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz

2PA1576Q 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
2PA1576  
PNP general purpose transistor  
1999 May 31  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Mar 28  

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