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2N7002PW,115

更新时间： 2024-01-08 12:54:00

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	139K
描述
2N7002PW - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin

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技术参数
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2N7002PW,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	7.93
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.31 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.83 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

2N7002PW,115 数据手册

2N7002PW

60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET

Rev. 02 — 29 July 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323

(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

1.2 Features and benefits

AEC-Q101 qualified

Trench MOSFET technology

Very fast switching

Logic-level compatible

1.3 Applications

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Relay driver

Switching circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_amb= 25 °C

V_GS

I_D

gate-source

voltage

-20

[1]

drain current

V_GS= 10 V; T_amb= 25 °C

310 mA

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 500 mA;

T_j= 25 °C; t_p≤ 300 µs; pulsed;

δ ≤ 0.01

1.6

Ω

on-state

resistance

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N7002Q-7-F	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
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2N7002SESGP	CHENMKO	Transistor,	获取价格
2N7002SGP	CHENMKO	Transistor,	获取价格
2N7002SH	Galaxy Microelectronics	0.3A, 60V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs	获取价格