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2N6933

更新时间： 2024-02-16 08:51:04

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3页	147K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6933 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	4
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6933 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6933 2N6934

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

300

350

TYP.

MAX

UNIT

2N6933

2N6934

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=0.2A ;L=25mH

V_(BR)EBO

V_CEsat

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

I_E=50mA ;I_C=0

I_C=15A ;I_B=3A

T_C=100ꢀ

1.0

2.0

I_C=15A ;I_B=3A

T_C=100ꢀ

1.5

V_BEsat

V_CE=450V; V_BE=-1.5V

T_C=100ꢀ

0.1

1.0

2N6933

Collector cut-off current

2N6934

I_CEV

V_CE=550V; V_BE=-1.5V

T_C=100ꢀ

0.1

1.0

I_EBO

h_FE

Emitter cut-off current

DC current gain

V_EB=8V; I_C=0

2.0

I_C=15A ; V_CE=3V

f=1MHz;V_CB=10V

C_OB

Collector output capacitance

150

400

Switching times resistive load

t_d

t_r

Delay time

Rise time

Storage time

Fall time

0.1

0.7

2.5

0.5

µs

I_C=15A; I_B1=-I_B2=3A

V_CC=300V, R_C=30Ω

V_BB=-5V;t_p=30µs

t_stg

t_f

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

ꢀ/W

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.71

123

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