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2N6577

更新时间： 2024-02-13 05:45:49

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6577 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最大降落时间（tf）：	7000 ns
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大上升时间（tr）：	1000 ns
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
最大关闭时间（toff）：	9000 ns	最大开启时间（吨）：	1150 ns
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2N6577 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6576 2N6577 2N6578

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·Power switching

·Audio amplifiers

·Hammer drivers

·Series and shunt regulators

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6576

2N6577

2N6578

2N6576

2N6577

2N6578

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

120

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

120

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

Collector current-peak

Base current

0.25

120

200

-65~200

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_stg

12 3

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