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2N6517RLRPG

更新时间: 2024-02-06 17:45:54
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
高电压晶体管

2N6517RLRPG 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.7最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:250 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):225极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

2N6517RLRPG 数据手册

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NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6520  
+V  
CC  
V
ADJUSTED  
2.2 k  
CC  
FOR V  
20 k  
= 100 V  
CE(off)  
1.0 k  
+10.8 V  
50 SAMPLING SCOPE  
50  
1/2MSD7000  
-9.2 V  
PULSE WIDTH 100 µs  
t , t 5.0 ns  
DUTY CYCLE 1.0%  
FOR PNP TEST CIRCUIT,  
REVERSE ALL VOLTAGE POLARITIES  
r
f
APPROXIMATELY  
-1.35 V  
(ADJUST FOR V  
(BE)off  
= 2.0 V)  
Figure 16. Switching Time Test Circuit  
1.0  
0.7  
0.5  
D = 0.5  
0.2  
0.3  
0.2  
SINGLE PULSE  
SINGLE PULSE  
0.05  
0.1  
0.1  
0.07  
0.05  
Z
Z
= r(t) R  
= r(t) R  
T
- T = P  
C
- T = P  
Z
θJC(t)  
θJA(t)  
θJC J(pk)  
(pk) θJC(t)  
0.03  
0.02  
T
Z
θJA J(pk)  
A
(pk) θJA(t)  
0.01  
0.1  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
5.0  
10  
20  
50  
100  
200  
500  
1.0Ăk 2.0Ăk  
5.0Ăk 10Ăk  
t, TIME (ms)  
Figure 17. Thermal Response  
500  
FIGURE A  
10 µs  
100 µs  
T
A
= 25°C  
200  
100  
t
P
1.0 ms  
T
= 25°C  
C
P
P
P
P
50  
100 ms  
20  
10  
CURRENT LIMIT  
THERMAL LIMIT  
5.0  
ă(PULSE CURVES @ T = 25°C)  
C
SECOND BREAKDOWN LIMIT  
t
1
2.0  
1.0  
0.5  
2N6515  
1/f  
CURVES APPLY  
BELOW RATED V  
t
CEO  
10  
1
2N6517, 2N6520  
DUTYĂCYCLE + t Ăf +  
1
t
P
0.5 1.0 2.0  
5.0  
20  
50 100 200  
500  
PEAK PULSE POWER = P  
P
V , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)  
CE  
Figure 18. Active Region Safe Operating Area  
Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data  
http://onsemi.com  
6

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