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2N6488BD

更新时间： 2024-01-05 10:54:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
61页 367K
描述
15A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN

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2N6488BD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.16外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：5 MHz

2N6488BD 数据手册

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*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 200 mAdc, I = 0)  
2N6487, 2N6490  
2N6488, 2N6491  
60  
80  
—
C
B
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
(I = 200 mAdc, V = 1.5 Vdc)  
VCEX  
Vdc  
mAdc  
µAdc  
2N6487, 2N6490  
2N6488, 2N6491  
70  
90  
—
—
C
BE  
Collector Cutoff Current  
I
CEO  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 30 Vdc, I = 0)  
2N6487, 2N6490  
2N6488, 2N6491  
—
—
1.0  
1.0  
B
= 40 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 65 Vdc, V  
= 85 Vdc, V  
= 60 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc, T = 150 C)  
2N6487, 2N6490  
2N6488, 2N6491  
2N6487, 2N6490  
2N6488, 2N6491  
—
—
—
—
500  
500  
5.0  
5.0  
EB(off)  
EB(off)  
EB(off)  
EB(off)  
C
= 1.5 Vdc, T = 150 C)  
C
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
mAdc  
EBO  
BE  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(I = 5.0 Adc, V  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
20  
5.0  
150  
—
C
CE  
CE  
(I = 15 Adc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = 5.0 Adc, I = 0.5 Adc)  
V
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
—
—
1.3  
3.5  
C
B
(I = 15 Adc, I = 5.0 Adc)  
C
B
Base–Emitter On Voltage  
V
BE(on)  
(I = 5.0 Adc, V  
(I = 15 Adc, V  
C
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
—
—
1.3  
3.5  
C
CE  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product (2)  
f
5.0  
25  
—
—
MHz  
—
T
(I = 1.0 Adc, V  
C CE  
= 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
test  
Small–Signal Current Gain  
(I = 1.0 Adc, V = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
fe  
C
CE  
* Indicates JEDEC Registered Data.  
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
(2) f = |h | • f  
.
T
fe  
test  
V
CC  
+ 30 V  
1000  
500  
25 µs  
R
C
t
r
+ 10 V  
0
SCOPE  
200  
100  
50  
R
B
– 10 V  
51  
D
1
t , t  
r f  
10 ns  
t @ V  
d BE(off)  
5.0 V  
NPN  
PNP  
DUTY CYCLE = 1.0%  
– 4 V  
R AND R VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS.  
FOR PNP, REVERSE ALL POLARITIES.  
T
= 25°C  
= 30 V  
B
C
C
20  
10  
V
CC  
I /I = 10  
C B  
D MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:  
1
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
5.0  
10  
20  
1N5825 USED ABOVE I  
100 mA  
100 mA  
B
MSD6100 USED BELOW I  
I , COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
B
Figure 2. Switching Time Test Circuit  
Figure 3. Turn–On Time  
3–133  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...61

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