生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.31 |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
集电极-发射极最大电压: | 100 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JEDEC-95代码: | TO-111 |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 60 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 30 MHz |
VCEsat-Max: | 1.2 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6188E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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2N6189 | SSDI | 5 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR 100 VOLTS |
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2N6189 | NJSEMI | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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2N6190 | SEME-LAB | PNP SILICON TRANSISTORS |
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2N6190 | NJSEMI | 5 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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2N6190 | APITECH | Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, |
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