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2N6107

更新时间: 2024-01-14 21:37:47
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
Complementary Silicon Plastic Power Transistors

2N6107 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:70 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:40 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

2N6107 数据手册

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T , CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
http://onsemi.com  
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