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Datasheet > 触发装置 > 可编程单结晶体管> 2N6027RLRAG
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2N6027RLRAG

更新时间： 2024-02-09 03:28:38
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体触发装置晶体管可编程单结晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
Programmable Unijunction Transistor

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2N6027RLRAG 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.1
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值电流最大值：2 µA
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：PROGRAMMABLE UJT
Valley Current-Min：50 µABase Number Matches：1

2N6027RLRAG 数据手册

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2N6027, 2N6028  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
75  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
θJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes  
200  
260  
θJA  
T
L
(
1/16″ from case, 10 secs max)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Fig. No.  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
*Peak Current  
(V = 10 Vdc, R = 1 MΩ)  
2,9,11  
I
P
µA  
2N6027  
2N6028  
2N6027  
2N6028  
—
—
—
—
1.25  
0.08  
4.0  
2.0  
0.15  
5.0  
S
G
(V = 10 Vdc, R = 10 k ohms)  
S
G
0.70  
1.0  
*Offset Voltage  
(V = 10 Vdc, R = 1 MΩ)  
S
1
V
T
Volts  
2N6027  
2N6028  
(Both Types)  
0.2  
0.2  
0.2  
0.70  
0.50  
0.35  
1.6  
0.6  
0.6  
G
(V = 10 Vdc, R = 10 k ohms)  
S
G
*Valley Current  
(V = 10 Vdc, R = 1 MΩ)  
S
1,4,5  
I
V
µA  
2N6027  
2N6028  
2N6027  
2N6028  
2N6027  
2N6028  
—
—
70  
25  
1.5  
1.0  
18  
18  
150  
150  
—
50  
25  
—
—
—
—
G
(V = 10 Vdc, R = 10 k ohms)  
S
G
(V = 10 Vdc, R = 200 ohms)  
S
mA  
G
—
*Gate to Anode Leakage Current  
(V = 40 Vdc, T = 25°C, Cathode Open)  
—
—
I
nAdc  
GAO  
—
—
1.0  
3.0  
10  
—
S
A
(V = 40 Vdc, T = 75°C, Cathode Open)  
S
A
Gate to Cathode Leakage Current  
(V = 40 Vdc, Anode to Cathode Shorted)  
I
—
5.0  
50  
nAdc  
GKS  
S
(1)  
*Forward Voltage (I = 50 mA Peak)  
F
1,6  
3,7  
V
—
0.8  
11  
1.5  
—
Volts  
Volt  
F
*Peak Output Voltage  
V
o
6.0  
(V = 20 Vdc, C = 0.2 µF)  
G
C
Pulse Voltage Rise Time  
(V = 20 Vdc, C = 0.2 µF)  
3
t
r
—
40  
80  
ns  
B
C
*Indicates JEDEC Registered Data  
(1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µsec, Duty Cycle ≤ 2%.  
http://onsemi.com  
2
12345678

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6027RL1G ONSEMI

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