2N5740

更新时间： 2024-02-26 03:36:32

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2页	55K
描述
isc Silicon PNP Power Transistors

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2N5740 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

2N5740 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

2N5740

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

V_CEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage I_C= -200mA ; I_B= 0

-100

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

Collector Cutoff Current

I_C= -5A; I_B= -0.5A

I_C= -10A; I_B= -2.5A

I_C= -5A; I_B= -0.5A

I_C= -4A; V_CE= -4V

V_CE= -100V; I_B= 0

V_CB= -100V; I_E= 0

V_EB= -5V; I_C= 0

-0.5

-3.0

-1.2

-1.5

-0.5

-0.1

V_CE

(sat)-1

(sat)-2

V_BE(

)

sat

V_BE(

)

I_CEO

I_CBO

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

f_T

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

I_C= -5A; V_CE= -5V

I_C= -10A; V_CE= -5V

I_C= -0.5A; V_CE= -10V

DC Current Gain

Current-Gain—Bandwidth Product

MHz

isc Website：www.iscsemi.cn

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