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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.31 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5672MP | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 120V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N5672S | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 120V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N5675 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N5676 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
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| 2N5676 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5676 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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