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2N5679

更新时间： 2024-02-17 04:15:21

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博卡 - BOCA		晶体晶体管高压
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2页	46K
描述
PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS

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技术参数
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2N5679 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	METAL CAN, TO-39, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.76	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2N5679 数据手册

PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS

2N5679 2N5681

2N5680 2N5682

PNP

NPN

TO-39

Boca Semiconductor Corp.

BSC

These Are High Voltage & High Current, General Purpose Transistors

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

DESCRIPTION

SYMBOL

2N5679

2N5681

100

2N5680

2N5682

120

UNITS

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter -Base Voltage

Collector Current Continuous

Base Current

Power Dissipation @Ta=25 degC

Derate Above 25deg C

Power Dissipation @Tc=25 degC

Derate Above 25deg C

Operating And Storage Junction

Temperature Range

VCEO

VCBO

VEBO

100

120

4.0

1.0

0.5

1.0

5.7

mW/deg C

deg C

Tj, Tstg

-65 to +200

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

Junction to Ambient

Rth(j-c)

Rth(j-a)

17.5

175

deg C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

2N5679 2N5680

2N5681 2N5682

UNITS

Collector -Emitter Voltage

Collector-Cut off Current

VCEO(sus) IC=10mA,IB=0

>100

<1.0

<10

>120

<1.0

<10

ICBO

ICEO

ICEX

VCB=100V, IE=0

VCB=120V, IE=0

VCE=70V, IB=0

VCE=80V, IB=0

VCE=100V,VEB=1.5V

VCE=120V,VEB=1.5V

<1.0

TC=150 deg C

VCE=100V,VEB=1.5V

VCE=120V,VEB=1.5V

VEB=4V, IC=0

<1.0

Emitter-Cut off Current

IEBO

http://www.bocasemi.com

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