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2N5638/D

更新时间： 2024-01-15 05:38:13

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
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4页	39K
描述
JFET Chopper Transistors

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2N5638/D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	30 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	4 pF	JEDEC-95代码：	TO-226AA
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5638/D 数据手册

2N5638, 2N5639

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Gate–Source Breakdown Voltage

Gate Reverse Current

(I = –1.0 µAdc, V

= 0)

(BR)GSS

–

Vdc

= –15 Vdc, V

ā1.0

1.0

nAdc

µAdc

GSS

= –15 Vdc, V

= 0, T = 100°C)

Drain–Cutoff Current

–

µAdc

D(off)

= 15 Vdc, V

= –12 Vdc)

= –12 Vdc, T = 100°C)

= –8.0 Vdc)

= –8.0 Vdc, T = 100°C)

2N5638

2N5639

1.0

ON CHARACTERISTICS

Zero–Gate–Voltage Drain Current (Note 1.)

2N5638

2N5639

–

mAdc

Vdc

DSS

= 20 Vdc, V

= 0)

Drain–Source “ON” Voltage

DS(on)

(I = 12 mAdc, V

(I = 6.0 mAdc, V

= 0)

2N5638

2N5639

–

0.5

Static Drain–Source “ON” Resistance

(I = 1.0 mAdc, V = 0)

Ω

DS(on)

2N5638

2N5639

–

SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS

Static Drain–Source “ON” Resistance

DS(on)

= 0, I = 0, f = 1.0 kHz)

2N5638

2N5639

–

Input Capacitance

= 0, V

= –12 Vdc, f = 1.0 MHz)

–

iss

Reverse Transfer Capacitance

4.0

rss

SWITCHING CHARACTERISTICS (V

= 10 Vdc, V

= 0, V

GS(on) GS(off)

= –10 Vdc, R = 50 Ω. See Figure 1 on page 1)

G’

Turn–On Delay Time

= 12 mAdc, 2N5638

= 6.0 mAdc, 2N5639

–

4.0

6.0

D(on)

d(on)

D(on)

Rise Time

= 12 mAdc, 2N5638

= 6.0 mAdc, 2N5639

–

5.0

8.0

D(on)

Turn–Off Delay Time

Fall Time

= 12 mAdc, 2N5638

= 6.0 mAdc, 2N5639

–

5.0

D(on)

d(off)

= 12 mAdc, 2N5638

= 6.0 mAdc, 2N5639

–

D(on)

1. Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 3.0%.

http://onsemi.com

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