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2N5492

更新时间： 2024-01-21 22:59:45

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	101K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5492 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.76
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	55 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	0.8 MHz
Base Number Matches：	1

2N5492 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors 2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

2N5490/5494

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX UNIT

Collector-emitter

sustioning voltage

V_CEO(SUS)

I_C=0.1A ;I_B=0

2N5492

2N5496

2N5490

2N5492

2N5494

2N5496

2N5490

2N5492

2N5494

2N5496

2N5492

2N5490/5494

2N5496

I_C=2.0A;I_B=0.2A

I_C=2.5A;I_B=0.25A

I_C=3.0A;I_B=0.3A

Collector-emitter

saturation voltage

V_CEsat

1.0

I_C=3.5A;I_B=0.35A

I_C=2.0A ; V_CE=4V

I_C=2.5A ; V_CE=4V

I_C=3.0A ; V_CE=4V

I_C=3.5A ; V_CE=4V

V_CE=70V;V_BE=1.5V

V_CE=55V;V_BE=1.5V

V_CE=85V;V_BE=1.5V

V_CE=Rated V_CEO;R_BE=100Ω

V_EB=5V; I_C=0

1.1

1.3

1.5

1.7

V_BE

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

I_CEV

1.0

I_CER

I_EBO

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

0.5

1.0

2N5490

2N5492

2N5494

2N5496

I_C=2.0A ; V_CE=4V

I_C=2.5A ; V_CE=4V

I_C=3.0A ; V_CE=4V

I_C=3.5A ; V_CE=4V

I_C=0.5A ; V_CE=4V

h_FE

DC current gain

100

f_T

Transition frequency

0.8

MHz

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5492LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
2N5493	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格
2N5493	TI	TRANSISTOR,BJT,NPN,65V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220AB	获取价格
2N5494	CENTRAL	NPN SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
2N5494	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
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