2N5462RLRA

更新时间： 2024-02-18 15:30:29

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摩托罗拉 - MOTOROLA		/
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4页	120K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92

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2N5462RLRA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.02
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	2 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5462RLRA 数据手册

DRAIN CURRENT versus GATE

SOURCE VOLTAGE

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE

versus DRAIN CURRENT

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

4000

3000

= 15 V

2000

1000

= –55°C

700

500

25°C

125°C

= 15 V

300

200

f = 1.0 kHz

0.5

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

4.0

8.0

0.2

0.3

0.5

0.7

I , DRAIN CURRENT (mA)

1.0

2.0

3.0 4.0

, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 1. V

= 2.0 Volts

Figure 4. V

= 2.0 Volts

GS(off)

10000

7000

5000

9.0

= 15 V

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

= –55°C

3000

2000

25°C

125°C

1000

= 15 V

f = 1.0 kHz

700

500

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0

, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

I , DRAIN CURRENT (mA)

Figure 2. V

= 4.0 Volts

Figure 5. V

= 4.0 Volts

GS(off)

10000

7000

5000

= 15 V

= –55°C

3000

2000

8.0

25°C

125°C

6.0

4.0

1000

= 15 V

2.0

f = 1.0 kHz

700

500

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

I , DRAIN CURRENT (mA)

Figure 3. V

= 5.0 Volts

Figure 6. V

= 5.0 Volts

GS(off)

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

123 4

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