是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 2 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 10 |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 1 W | 最大功率耗散 (Abs): | 1 W |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 30 MHz |
VCEsat-Max: | 1 V |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5334 | NJSEMI | NPN TO-39/TO-5 |
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2N5334 | CENTRAL | NPN SILICON TRANSISTOR |
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2N5334 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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2N5334LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO |
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2N5335 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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2N5335 | CENTRAL | NPN SILICON TRANSISTOR |
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