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2N5333LEADFREE

更新时间: 2024-01-30 16:54:58
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CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 149K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3

2N5333LEADFREE 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.82外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-39JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:1 W最大功率耗散 (Abs):1 W
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
VCEsat-Max:1 V

2N5333LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N5333LEADFREE的Datasheet PDF文件第1页 
TM  
Central  
2N5333  
Semiconductor Corp.  
NPN SILICON POWER TRANSISTOR  
TO-39 CASE - MECHANICAL OUTLINE  
LEAD CODE:  
1) EMITTER  
2) BASE  
3) COLLECTOR (case)  
MARKING: FULL PART NUMBER  
R0 (25-September 2008)  

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