是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.92 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 基于收集器的最大容量: | 25 pF |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 40 | JEDEC-95代码: | TO-39 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 功耗环境最大值: | 1 W |
最大功率耗散 (Abs): | 4 W | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 200 MHz | 最大关闭时间(toff): | 90 ns |
最大开启时间(吨): | 40 ns | VCEsat-Max: | 0.7 V |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5023LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 0.001A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39 |
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2N5023S | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 |
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2N502A | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | TO-9 |
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2N502B | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-9 |
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2N5030 | CDIL | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92 |
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2N5031 | MICROSEMI | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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