是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.79 | 其他特性: | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC): | 0.02 A | 基于收集器的最大容量: | 1.5 pF |
集电极-发射极最大电压: | 10 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 25 | 最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JEDEC-95代码: | TO-72 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W4 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最小功率增益 (Gp): | 14 dB |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 1000 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5033 | ETC | TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.5MA I(DSS) | TO-106VAR |
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2N5038 | MICROSEMI | NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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2N5038 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(20A,140W) |
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2N5038 | ONSEMI | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
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2N5038 | STMICROELECTRONICS | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
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2N5038 | BOCA | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
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