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2N4958

更新时间： 2024-09-30 22:49:23

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1页	32K
描述
Chip Type 2C4957 Geometry 0006 Polarity PNP

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2N4958 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	1000 MHz
Base Number Matches：	1

2N4958 数据手册

Data Sheet No. 2C4957

Ge ne ric Pa c ka ge d Pa rts :

2N4957, 2N4958, 2N4959

Chip Type 2C4957

Geometry 0006

Polarity PNP

Chip type 2C4957 by Semicoa Semi-

conductors provides performance

similar to these devices.

Product Summary:

APPLICATIONS:

Designed for high-gain, low-noise class A

amplifiers, oscillators and mixers.

Part Numbers:

Features: Special Characteristics

ft = 1.6 GHz (typ) at 2.0 mA/10V

2N4957, 2N4957UB, 2N4958, 2N4958UB,

2N4959, 2N4959UB, SD4957, SD4957F,

SQ4957, SQ4957F

Radiation graphs available

Mechanical Specifications

Top

Al - 12 kÅ min.

Au - 6.5 kÅ nom.

2.3 mils x 2.3 mils

Metallization

Backside

Emitter

Base

Bonding Pad Size

8 mils nominal

Die Thickness

Chip Area

16 mils x 16 mils

Silox Passivated

Top Surface

Electrical Characteristics

T_A= 25^oC

Parameter

BV_CEO

Test conditions

Min

Max

---

Unit

V dc

µA

I_C= 1.0 mA

I_C= 100 µA

I_E= 100 µA

V_CB= 10 V dc

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

---

3.0

---

0.1

150

h_FE

V_CE= 10 V, I_C= 2.0 mA

---

Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less

than 300 µs, duty cycle less than 2%.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4958UB	SEMICOA	获取价格	Chip Type 2C4957 Geometry 0006 Polarity PNP
2N4959	SEMICOA	获取价格	Chip Type 2C4957 Geometry 0006 Polarity PNP
2N4959	NJSEMI	获取价格	TO-72
2N4959	ASI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-72, TO-72, 4 P
2N4959UB	SEMICOA	获取价格	Chip Type 2C4957 Geometry 0006 Polarity PNP
2N496	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 10V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-1
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