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2N4902

更新时间： 2024-01-25 01:42:52

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COMSET		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	125K
描述
PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE

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2N4902 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2N4902 数据手册

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Junction to Free Air Thermal Resistance

R_thJC

R_thJA

°C/W

47.3

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25°C unless otherwise noted

Min Typ Mx Unit

Symbol

Ratings

Test Condition(s)

2N4901

-40

-60

-80

Collector-Emitter

Breakdown Voltage)

I_C=200 mAdc, I_B=0

V_CE=-2.0 V, I_C=-1.0 A

V_CE=-2.0 V, I_C=-5.0 A

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

V_CEO(BR)

DC Current Gain (*)

h_FE

V_CE=-40 V, I_E=0

V_CE=-60 V, I_E=0

V_CE=-80 V, I_E=0

V_CE=-40 V, V_EB=1.5 V

V_CE=-40 V, V_EB=1.5 V,

0.1

-0.1

Collector-Base cut-off

Current

I_CBO

2N4901

2N4902

2N4903

-2.0

-0.1

-2.0

-0.1

-2.0

T_CASE=150°C

V_CE=-60 V, V_EB=1.5 V

V_CE=-60 V, V_EB=1.5 V,

T_CASE=150°C

V_CE=-80 V, V_EB=1.5 V

V_CE=-80 V, V_EB=1.5 V,

T_CASE=150°C

Collector Cutoff Current

I_CEX

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

Emitter Cutoff Current

V_BE=5.0 V, I_C=0

-1.0 mA

I_EBO

Forward Current Transfer

Ratio (*)

V_CE=-10 V, I_C=-0.5 A

f =1MHz

H_fe

I_C=-1.0 A, I_B=-0.1 A

I_C=-5.0 A, I_B=-1.0 A

I_C=-1.0 A, V_CE=-2.0 V

-0.4

-1.5

-1.2

Collector-Emitter saturation

Voltage (*)

V_CE(SAT)

Base-Emitter Voltage (*)

V_BE

123

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