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2N4234

更新时间： 2024-01-14 00:20:47

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美高森美 - MICROSEMI		晶体放大器晶体管功率放大器
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2页	57K
描述
NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR

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2N4234 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.27	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz

2N4234 数据手册

2N4234, 2N4235, 2N4236 JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)

Characteristics

ON CHARACTERISTICS ⁽³⁾

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 100 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc

I_C= 250 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc

I_C= 500 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 1.0 Adc, I_B= 100 mAdc

I_C= 500 mAdc, I_B= 50 mAdc

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 500 mAdc, I_B= 50 mAdc

I_C= 1.0 Adc, I_B= 100 mAdc

h_FE

150

0.6

0.4

Vdc

V_CE(sat)

1.1

1.5

V_BE(sat)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short-Circuit

Forward Current Transfer Ratio

3.0

½h_fe½

I_C= 100 mAdc, V_CE= 10 Vdc, f = 10 MHz

Output Capacitance

V_CB= 10 Vdc, I_E= 0, f = 100 MHz

100

C_obo

SAFE OPERATING AREA

DC Tests

T_C= +25⁰C, 1 cycle, t ³ 0.5 s

Test 1

V_CE= 6.0 Vdc, I_C= 1.0 Adc

Test 2

V_CE= 12 Vdc, I_C= 500 mAdc

Test 3

V_CE= 30 Vdc, I_C= 166 mAdc

2N4234

2N4235

2N4236

(3) Pulse Test: Pulse Width = 300ms, Duty Cycle £ 2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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