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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.06 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4119A_TO-71 | MICROSS |
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an Ultra-High Input Impedance N-Channel JFET |
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| 2N412 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15MA I(C) | TO-1 |
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| 2N4120 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20MA I(D) | TO-72 |
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| 2N4121 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-106 |
|
| 2N4122 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-106, BIP General Purpose Small Si |
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| 2N4122 | VISHAY |
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Transistor |
|
| 2N4123 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| 2N4123 | ONSEMI |
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General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
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| 2N4123 | SAMSUNG |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2N4123 | FAIRCHILD |
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NPN General Purpose Amplifier |
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