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2N4118A-E3

更新时间： 2024-01-23 18:32:10

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威世 - VISHAY		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	69K
描述
TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-206AF, HERMETIC SEALED, TO-72, 4 PIN, FET General Purpose Small Signal

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技术参数
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2N4118A-E3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	1.5 pF	JEDEC-95代码：	TO-206AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N4118A-E3 数据手册

2N/PN/SST4117A Series

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Transfer Characteristics

Transconductance vs. Gate-Source Voltage

100

200

V_GS(off)= −0.7 V

V_DS= 10 V

V_GS(off)= −0.7 V

V_DS= 10 V

f = 1 kHz

160

= −55_C

25_C

120

= 125_C

125_C

25_C

−55_C

−0.2

−0.4

−0.6

−0.8

−1.0

−0.2

−0.4

−0.6

−0.8

−1.0

_GS− Gate-Source Voltage (V)

V_GS− Gate-Source Voltage (V)

Transfer Characteristics

Transconductance vs. Gate-Source Voltage

500

400

300

240

V_GS(off)= −2.5 V

V_DS= 10 V

V_GS(off)= −2.5 V

V_DS= 10 V

f = 1 kHz

= −55_C

300

200

180

120

25_C

125_C

100

125_C

−1

−2

−3

−4

−5

−1

−2

−3

−4

−5

_GS− Gate-Source Voltage (V)

V_GS− Gate-Source Voltage (V)

Common-Source Input Capacitance

vs. Gate-Source Voltage

Circuit Voltage Gain vs. Drain Current

100

2.0

1.6

f = 1 MHz

1 ) R g

Assume V_DD= 15 V, V_DS= 5 V

10 V

V_DS= 0 V

1.2

0.8

10 V

V_GS(off)= −0.7 V

0.4

−2.5 V

−4

−8

−12

−16

−20

0.01

0.1

I_D− Drain Current (mA)

V_GS− Gate-Source Voltage (V)

Document Number: 70239

S-41231—Rev. G, 28-Jun-04

www.vishay.com

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