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2N4060LEADFREE

更新时间： 2024-10-01 15:25:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 322K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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2N4060LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.51最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：45JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N4060LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N4060LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N4058 2N4061  
2N4059 2N4062  
2N4060  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SILICON  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4058 series  
devices are silicon PNP transistors designed for  
low level, low noise (2N4058), low level, high gain  
(2N4059, 2N4060, 2N4061, 2N4062) applications.  
Recommended NPN complementary series is 2N3707  
thru 2N3711.  
PNP TRANSISTORS  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-92 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
30  
30  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
6.0  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
200  
mA  
mW  
°C  
C
P
625  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=20V  
100  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=6.0V  
100  
nA  
V
EBO  
EB  
BV  
I =1.0mA  
30  
CEO  
C
V
V
I =10mA, I =0.5mA  
0.7  
1.0  
V
CE(SAT)  
C
B
V
=5.0V, I =1.0mA  
0.5  
V
BE(ON)  
CE  
C
NF  
V
=5.0V, I =100μA, R =5.0KΩ,  
CE  
C G  
BW=15.7kHz (2N4058 only)  
5.0  
dB  
2N4058  
2N4059  
2N4060  
2N4061  
2N4062  
SYMBOL TEST CONDITIONS  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX  
100 400  
h
h
h
h
V
V
V
V
=5.0V, I =100μA  
-
-
-
-
-
-
-
-
FE  
FE  
fe  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
=5.0V, I =1.0mA  
-
-
45 660  
45 165  
90 330  
180 660  
C
=5.0V, I =100μA, f=1.0kHz  
100 550  
-
-
-
-
-
-
-
-
C
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
-
-
45 800  
45 250  
90 450  
180 800  
fe  
C
R1 (13-March 2014)  
12

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