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2N3772

更新时间： 2024-02-18 07:26:00
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3页 148K
描述
SILICON NPN TRANSISTORS

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2N3772 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.12
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：0.2 MHz
Base Number Matches：1

2N3772 数据手册

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2N3772  
SILICON NPN TRANSISTOR  
„
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (TA=25℃, unless otherwise specified )  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
VCEV  
IC  
RATINGS  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
100  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
V
7
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current  
80  
V
30  
A
Collector Peak Current (Note 1)  
Base Current  
ICM  
30  
A
IB  
5
15  
A
Base Peak Current (Note 1)  
Power Dissipation (TA=25℃)  
Junction Temperature  
IBM  
A
PD  
150  
W
℃
℃
TJ  
150  
Storage Temperature  
TSTG  
-55 ~ +150  
Note 1. Pulse Test: PW<=300μs, Duty Cycle<=2%  
2. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.  
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.  
„
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX UNIT  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
VCEX(SUS) IC=0.2A,VBE(OFF)=1.5V,RBE=100Ω  
VCER(SUS) IC=0.2A, RBE=100Ω  
VCEO(SUS) IC=0.2A, IB=0  
80  
70  
60  
V
V
V
ICEO  
VCE=50V,IB=0  
CE=100V, VBE(OFF)=1.5V.  
VCE=30V, VBE(OFF)=1.5V, TA=150℃  
VCE=50V, IE=0  
10  
5
mA  
V
Collector Cut-off Current  
ICEX  
mA  
10  
5
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
ON CHARACTERISTICS  
ICBO  
IEBO  
mA  
mA  
VBE=7V, IC=0  
5
IC=10A,VCE=4V  
IC=20A, VCE=4V  
IC=10A, IB=1.5A  
IC=20A, IB=4A  
15  
5
60  
DC Current Gain (Note)  
hFE  
1.4  
4.0  
2.2  
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
VCE(SAT)  
Base-Emitter On Voltage  
VBE(ON) IC=10A, VCE=4V  
SECOND BREAKDOWN  
Second Breakdown Collector with Base  
Forward Biased  
IS/b  
VCE=60V, T=1.0s, Non-repetitive  
2.5  
A
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current Gain-Bandwidth Product  
Small-Signal Current Gain  
fT  
IC=1A, VCE=4V, f=50kHz  
IC=1A, VCE=4V, f=1kHz  
0.2  
40  
MHz  
hFE  
Note: Pulse Test: PW<=300μs, Duty Cycle<=2%  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
2 of 3  
QW-R205-002,Ba  
www.unisonic.com.tw  
123

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