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2N3251A

更新时间： 2024-02-02 00:56:05

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
PNP BIPOLAR TRANSISTOR

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技术参数
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2N3251A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2N3251A 数据手册

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02172

PH: (617) 926-0404

FAX: (617) 924-1235

2N3251A

Features

60 Volts

200 mAmps

· Meets MIL-S-19500/323

· Collector-Base Voltage 60V

· Collector Current: 200 mA

· Fast Switching 370 nS

PNP

BIPOLAR

TRANSISTOR

Maximum Ratings

RATING

SYMBOL

MAX.

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

-60

-5.0

-200

Vdc

mAdc

Total Device Dissipation

P_D

@ T_A= 25^oC

0.36

2.4

Watts

mW/^oC

Derate above 25^oC

Total Device Dissipation

@ T_C= 25^oC

P_D

1.2

Watts

mW/^oC

Derate above 25^oC

Operating Temperature Range

^oC

T_J

-65 to

+175

-65 to

+175

417

^oC

Storage Temperature Range

T_S

^oC/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

R_qJA

R_qJC

146

Mechanical Outline

Datasheet# MSC0281A 5/19/97

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与2N3251A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3251AUB	MICROSEMI	PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR	获取价格
2N3251AUBE3	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC	获取价格
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2N3251DCSM	SEME-LAB	Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed	获取价格
2N3252	CENTRAL	Small Signal Transistors	获取价格
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