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2N3055

更新时间： 2024-02-12 04:58:21
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锦美电子 - JMNIC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 76K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N3055 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2.5 MHzBase Number Matches：1

2N3055 数据手册

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Product Specification  
www.jmnic.com  
Silicon NPN Power Transistors  
2N3055  
DESCRIPTION  
·With TO-3 package  
·Complement to type MJ2955  
·DC Current Gain -hFE = 20–70 @ IC = 4 Adc  
·Collector–Emitter Saturation Voltage -  
V
CE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc  
·Excellent Safe Operating Area  
APPLICATIONS  
·Designed for general–purpose switching  
and amplifier applications.  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol  
3
Collector  
Absolute maximum ratings(Ta=℃)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
100  
60  
UNIT  
V
Open base  
V
Open collector  
7
V
15  
A
IB  
Base current  
7
A
PC  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25℃  
115  
150  
-65~200  
W
℃
℃
Tj  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
Thermal resistance junction to case  
VALUE  
UNIT  
Rth j-c  
1.52  
℃/W  
1234

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