2N2920AHRG

更新时间： 2024-02-09 11:00:10

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体小信号双极晶体管双极型晶体管
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描述
Hi-Rel NPN dual matched Bipolar Transistor 60V - 0.03A

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2N2920AHRG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N2920AHRG 数据手册

Electrical characteristics

2N2920AHR

Table 5.

Symbol

Electrical characteristics (continued)

Parameter

Test conditions

Min. Typ. Max. Unit

_CE= 5 V

f = 1 kHz

_CB= 5 V

f = 1 kHz

_CB= 5 V

100 kHz ≤ f ≤ 1 MHz

I_C= 1 mA

h_ob

Output admittance

µmho

I_C= 1 mA

h_ib

Input impedance

Output capacitance

(I_E= 0)

C_obo

_CE= 5 V

I_C= 10 µA

f = 1 kHz

Noise figure

R_S= 10 kΩ

Bandwidth = 200 Hz

_CE= 5 V I_C= 10 µA

R_S= 10 kΩ

Noise figure

10 Hz ≤ f ≤ 15.7 kHz

Bandwidth = 200 Hz

1. Pulsed duration = 300 µs, duty cycle ≤ 1.5%

4/9

Doc ID 15383 Rev 2

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