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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N2920AHRG
2N2920AHRG PDF预览

2N2920AHRG

更新时间： 2024-02-15 09:12:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管双极型晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 160K
描述
Hi-Rel NPN dual matched Bipolar Transistor 60V - 0.03A

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2N2920AHRG 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.36
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：300JESD-30 代码：R-PDSO-N6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：20
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N2920AHRG 数据手册

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2N2920AHR  
Electrical characteristics  
2
Electrical characteristics  
T
= 25 °C unless otherwise specified  
case  
Table 5.  
Symbol  
Electrical characteristics  
Parameter  
Test conditions  
VCB = 45 V  
VCB = 45 V  
Min. Typ. Max. Unit  
2
nA  
µA  
Collector-base cut-off  
current (IE = 0)  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
TC = 150 °C  
10  
Collector cut-off  
current (IB = 0)  
VCE = 5 V  
VEB = 5 V  
2
2
nA  
nA  
Emitter-base cut-off  
current (IC = 0)  
Collector-base  
breakdown voltage  
V(BR)CBO  
IC = 10 µA  
IC = 10 mA  
IE = 10 µA  
60  
60  
6
V
V
V
(IE = 0)  
Collector-emitter  
breakdown voltage  
(1)  
V(BR)CEO  
(IB = 0)  
Emitter-base  
breakdown voltage  
V(BR)EBO  
(IC = 0)  
Collector-emitter  
saturation voltage  
(1)  
VCE(sat)  
IC = 1 mA  
IC = 1 mA  
IB = 0.1 mA  
IB = 0.1 mA  
0.35  
V
V
Base-emitter  
saturation voltage  
(1)  
VBE(sat)  
0.5  
1
IC = 10 µA  
IC = 100 µA  
IC = 1 mA  
VCE = 5 V  
VCE = 5 V  
VCE = 5 V  
VCE = 5 V  
150  
225  
300  
600  
(1)  
hFE  
DC current gain  
IC = 10 µA  
Tamb = -55 °C  
50  
IC = 100 µA  
VCE = 5 V  
DC current transfer  
ratio comparison  
hFE2-1 / hFE2-2  
0.91  
1.1  
Tamb = -55 °C to +25 °C  
IC = 100 µA  
VCE = 5 V  
DC current transfer  
ratio comparison  
h
FE2-1 / hFE2-2  
0.85  
1.18  
Tamb = -55 °C to +125 °C  
VCE = 5 V  
VCE = 5 V  
VCE = 5 V  
IC = 10 µA  
IC = 100 µA  
IC = 1 mA  
2
1.5  
2
mV  
mV  
mV  
Δ⏐VBE1  
-
-
Base-emitter voltage  
differential  
VBE2  
⏐
VCE = 5 V  
IC = 100 µA  
Δ⏐VBE1  
Base-emitter voltage  
differential  
Tamb = -55 °C to +25 °C  
Tamb = +25 °C to +125 °C  
0.4  
0.5  
mV  
mV  
VBE2⏐  
Leakage current  
between active  
devices  
V = 50 V to E2, B2, C2  
V = 0 V to E1, B1, C1  
ILk  
fT  
5
µA  
Transition frequency  
IC = 0.5 mA  
VCE = 5 V  
60  
MHz  
Doc ID 15383 Rev 2  
3/9  
1234567...9

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