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2N2309

更新时间: 2024-02-04 13:20:30
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安森美 - ONSEMI /
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12页 1225K
描述
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Signal

2N2309 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-5
包装说明:TO-5, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.4Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-5JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.6 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

2N2309 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N2309LEADFREE CENTRAL Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI

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