是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.05 |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 0.2 mA |
最大直流栅极触发电压: | 0.8 V | 最大维持电流: | 2 mA |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 最大漏电流: | 0.1 mA |
通态非重复峰值电流: | 15 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最大通态电流: | 1600 A |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 1.6 A |
断态重复峰值电压: | 50 V | 重复峰值反向电压: | 50 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N2323A | MICROSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER | |
2N2323A | DIGITRON |
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Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 50; Max TMS Bridge Inpu | |
2N2323A | NJSEMI |
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Thyristor SCR 50V 15A 3-Pin TO-5 | |
2N2323AN | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 50V V(DRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN | |
2N2323AS | MICROSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER | |
2N2323AS | NJSEMI |
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Thyristor SCR 50V 15A 3-Pin TO-5 | |
2N2323ASE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO | |
2N2323LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERM | |
2N2323S | MICROSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER | |
2N2323SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO |