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2N2315

更新时间： 2024-02-20 11:23:18

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	367K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-46

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2N2315 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-46
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-46
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

2N2315 数据手册

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与2N2315相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2316	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-46	获取价格
2N2317	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-46	获取价格
2N2322	CENTRAL	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS	获取价格
2N2322	COMSET	SILICON THYRISTORS	获取价格
2N2322	ASI	Silicon Controlled Rectifier, 1600mA I(T), 25V V(DRM)	获取价格
2N2322	NJSEMI	1.6A RMS UP TO 400 VOLTS	获取价格

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