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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N2222AWC
2N2222AWC PDF预览

2N2222AWC

更新时间： 2024-02-22 04:11:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON

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2N2222AWC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：MO-041BB
JESD-30 代码：R-CDSO-N6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

2N2222AWC 数据手册

 浏览型号2N2222AWC的Datasheet PDF文件第1页 
Electrical Characteristics @ Tj = 25 °C  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min Max Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO Breakdown Voltage, Collector to Base  
V(BR)EBO Breakdown Voltage, Emitter to Base  
V(BR)CEO Breakdown Voltage, Collector to Emitter  
Bias Cond. D, IC=10uAdc  
Bias Cond. D, IE=10uAdc  
Bias Cond. D, IC= 10mAdc, pulsed  
Bias Cond. D, VCE=50Vdc  
Bias Cond. D, VCB=60Vdc  
Bias Cond. D, VEB= 4Vdc  
75  
6
50  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
ICES  
Collector to Emitter Cutoff Current  
Collector to Base Cutoff Current  
Emitter to Base Cutoff Current  
50 nAdc  
10 nAdc  
10 nAdc  
ICBO1  
IEBO  
ON CHARACTERISTICS  
hFE1  
hFE2  
hFE3  
hFE4  
hFE5  
Forward-Current Transfer Ratio  
VCE=10Vdc, IC=0.1mAdc  
VCE=10Vdc, IC=1.0mAdc  
VCE=10Vdc, IC=10mAdc  
VCE=10Vdc, IC=150mAdc, pulsed  
VCE=10Vdc, IC=500mAdc, pulsed  
IC=150mAdc, IB=15mAdc, pulsed  
IC=500mAdc, IB=50mAdc, pulsed  
IC=150mAdc, IB=15mAdc, pulsed  
IC=500mAdc, IB=50mAdc, pulsed  
50  
75 325  
100  
100 300  
30  
Forward-Current Transfer Ratio  
Forward-Current Transfer Ratio  
Forward-Current Transfer Ratio  
Forward-Current Transfer Ratio  
VCE(sat)1 Collector to Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)2 Collector to Emitter Saturation Voltage  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
0.3 Vdc  
1 Vdc  
0.6 1.2 Vdc  
2 Vdc  
Base to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Saturation Voltage  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
hfe  
Short Circuit Forward Current Xfer Ratio  
VCE= 10Vdc,IC =1mAdc, f= 1kHz  
50  
/hfe/  
Magnitude of Short Circuit Forward  
Current Transfer Ratio  
Output Capacitance  
VCE= 20Vdc,IC =50mAdc, f=100MHz  
2.5  
Cobo  
Cibo  
VCB= 10Vdc, IE =0, 100kHz< f <1MHz  
VEB= 2.0Vdc, IC=0, 100kHz< f <1MHz  
8 pF  
25 pF  
Input Capacitance  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
ton  
toff  
Saturated Turn-on Time  
Saturated Turn-off Time  
As defined in 19500/255 Figure 8  
As defined in 19500/255 Figure 9  
45 nS  
300 nS  
2
12

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