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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 基于收集器的最大容量： | 15 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-78 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W6 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.6 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2223LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78 |
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| 2N2224 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2226 | NJSEMI | NPN POWER, DARLINGTON TRANSISTORS |
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| 2N2226 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, T |
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| 2N2227 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 40V 3-Pin TO-18 Box |
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| 2N2227 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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