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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2226 | NJSEMI | NPN POWER, DARLINGTON TRANSISTORS |
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| 2N2226 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, T |
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| 2N2227 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 40V 3-Pin TO-18 Box |
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| 2N2227 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| 2N2228 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 40V 3-Pin TO-18 Box |
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| 2N2228 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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