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2N1913

更新时间: 2024-01-29 22:42:58
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美高森美 - MICROSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 157K
描述
Silicon Controlled Rectifiers

2N1913 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.8配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:70 mA
最大直流栅极触发电压:2.5 VJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3湿度敏感等级:1
通态非重复峰值电流:1000 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:70000 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:110 A
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

2N1913 数据手册

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