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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.57 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.75 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 16 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1721 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N1722 | NJSEMI |
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Triple Diffused Power Transistors |
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| 2N1722 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR |
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| 2N1722A | NJSEMI |
获取价格 |
Triple Diffused Power Transistors |
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| 2N1722E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-53, Metal, 3 |
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| 2N1723 | NJSEMI |
获取价格 |
Triple Diffused Power Transistors |
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| 2N1724 | TI |
获取价格 |
5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
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| 2N1724 | NJSEMI |
获取价格 |
Triple Diffused Power Transistors |
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| 2N1724 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR |
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| 2N1724A | NJSEMI |
获取价格 |
Triple Diffused Power Transistors |
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