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2SB1386

更新时间： 2024-01-02 23:33:06

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威伦 - WILLAS		晶体晶体管
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3页	474K
描述
SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors

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2SB1386 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1386 数据手册

WILLAS

2SB1386

SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP)

SOT-89

FEATURES

Low collector saturation voltage

Execllent current-to-gain characteristics

Pb-Free package is available

1. BASE

RoHS product for packing code suffix ”G”

Halogen free product for packing code suffix “H”

2. COLLECTOR

3. EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

-30

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-20

-6

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

-5

I_CP*

-10

P_C

T_J

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

0.5

150

℃

T_stg

-55~150

*Single pulse,PW=10ms

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

-30

-20

-6

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=-50μA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=-1mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=-50μA,I_C=0

μA

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB=-20V,I_E=0

-0.5

390

-1

μA

Emitter cut-off current

V_EB=-5V,I_C=0

DC current gain

V_CE=-2V,I_C=-500mA

I_C=-4A,I_B=-100mA

V_CE=-6V,I_C=-50mA,f=30MHz

V_CB=-20V,I_E=0,f=1MHz

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

120

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

82-180

BHP

120-270

BHQ

180-390

BHR

Range

Marking

2012-10

WILLAS ELECTRONIC CORP.

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB1386_05	WEITRON	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	获取价格
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2SB1386_10	UTC	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR	获取价格
2SB1386_15	UTC	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR	获取价格
2SB1386G-Q-AB3-R	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN F	获取价格