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2SA1803

更新时间： 2024-01-27 00:59:10

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	96K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1803 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	55	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	55 W	最大功率耗散 (Abs)：	55 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	VCEsat-Max：	2 V
Base Number Matches：	1

2SA1803 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1803

DESCRIPTION

·With TO-3PFM package

·Complement to type 2SC4688

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 40W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

PINNING (see Fig.2 )

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-80

UNIT

Open emitter

Open base

-80

Open collector

-5

-6

I_CM

Collector current-peak

Base current

-12

I_B

-0.6

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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