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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5664_02 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
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| 2N5664_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| 2N5664SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
NPN BIPOLAR TRANSISTOR IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH REL APPLICATIONS |
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| 2N5664SMD05 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| 2N5665 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455 |
|
| 2N5665 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
|
| 2N5665 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS |
|
| 2N5665 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 2N5665 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5665 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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