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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz | VCEsat-Max： | 1.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5190G | ONSEMI | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5190LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2N5190PBFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, |
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| 2N5191 | ONSEMI | POWER TRANSISTORS SILICON NPN |
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| 2N5191 | STMICROELECTRONICS | MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
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| 2N5191 | CENTRAL | NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
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