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2N5116

更新时间： 2024-02-04 12:47:37

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2页	37K
描述
P-Channel JFET Switch

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2N5116 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	150 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	7 pF	JEDEC-95代码：	TO-18
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N5116 数据手册

2N5114 – 2N5116

CORPORATION

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25^oC unless otherwise specified) (Continued)

2N5114

2N5115

2N5116

SYMBOL

PARAMETER

UNITS

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

MIN

MAX

MIN

MAX

_GS= -0

Drain Current at Zero Gate Voltage

(Note 1)

_DS= -18V (2N5114)

_DS= -15V (2N5115)

_DS= -15V (2N5116)

I_DSS

-30

-90

-15

-60

-5

-25

V_GS(f)

Forward Gate-Source Voltage

Drain-Source ON Voltage

-1

I_G= -1mA, V_DS= 0

_GS= 0

I_D= -15mA (2N5114)

I_D= -7mA (2N5115)

I_D= -3mA (2N5116)

V_DS(on)

-1.3

-0.8

-0.6

r_DS(on)

r_ds(on)

C_iss

Static Drain-Source ON Resistance

100

150

V_GS= 0, I_D= -1mA

Ω

Small-Signal Drain-Source ON

Resistance

_GS= 0, I_D= 0, f = 1kHz

Common-Source Input Capacitance

(Note 2)

V_DS= -15V, V_GS= 0,

f = 1mHz

_DS= 0

_GS= 12V (2N5114)

_GS= 7V (2N5115)

_GS= 5V (2N5116)

Common-Source Reverse Transfer

Capacitance (Note 2)

C_rss

f = 1mHz

NOTES 1. Pulse test; duration = 2ms.

2. For design reference only, not 100% tested.

V_GG

V_DD

TEST CONDITIONS

INPUT

R_L

1.2K

10%

2N5114 2N5115 2N5116

0.1µF

90%

R_G

V_DD

V_GG

R_L

-10V

20V

-6V

12V

-6V

V_IN

t_OFF

t_d

t_r

51Ω

1.2K

7.5K

V_DS(ON)

430Ω

100Ω

910Ω

220Ω

-7mA

-7V

2KΩ

390Ω

-3mA

-5V

90%

SAMPLING

SCOPE

R_G

10%

51Ω

10%

-6V

I_D(ON)-15mA

V_IN-12V

t_r

OUTPUT

0040

SAMPLING SCOPE

RISE TIME 0.4ns

INPUT RESISTANCE 10MΩ

INPUT CAPACITANCE 1.5pF

0050

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS

V_pvs r_DS(ON)

V_pvs I_DSS

V_pvs g_fs

10.0

9.0

8.0

7.0

6.0

5.0

10.0

9.0

8.0

7.0

6.0

5.0

10.0

9.0

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

4.0

3.0

4.0

3.0

V_DS= 20V

_GS= 0

(pulsed)

V_DS= 0.1V

V_GS= 0

2.0

(pulsed)

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

100

300

1,000

100

1,000

3,000

10,000

30,000

100,000

g_fs(µV)

r_DS(ON)(ohms)

t_DSS(mA)

0060

0070

0080

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