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2N511A

更新时间： 2024-01-27 09:13:22

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	363K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-41VAR

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2N511A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	O-MBFM-D2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	100 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	0.26 MHz	Base Number Matches：	1

2N511A 数据手册

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与2N511A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N511B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-41VAR	获取价格
2N512	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-41VAR	获取价格
2N5120	ETC	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS	获取价格
2N5121	DIGITRON	TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,10MA I(C),TO-71	获取价格
2N5122	DIGITRON	TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,10MA I(C),TO-71	获取价格
2N5127	ASI	Transistor	获取价格

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