2N3445

更新时间： 2024-01-09 21:48:13

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	38K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N3445 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	115 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

2N3445 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N3445

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_BE

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_C=30mA ;I_B=0

I_C=3A; I_B=0.3A

I_C=7A;I_B=1.5A

I_C=3A ; V_CE=5V

V_CE=60V; I_B=0

V_CB=80V; I_E=0

V_EB=7V; I_C=0

1.2

3.0

1.5

0.7

0.1

I_CEO

I_CBO

I_EBO

h_FE-1

DC current gain

I_C=3A ; V_CE=5V

I_C=7A ; V_CE=5V

h_FE-2

DC current gain

123

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