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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.69 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 70 mA | JEDEC-95代码： | TO-208AD |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 110 A |
| 断态重复峰值电压： | 600 V | 重复峰值反向电压： | 600 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1800E3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 720V V(DRM), 720V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
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| 2N1800F | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifiers (fase) |
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| 2N1800FE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN |
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| 2N1800M | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elem |
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| 2N1800MPBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AD |
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| 2N1801 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier |
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