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| 生命周期： | Active | 包装说明： | TO-83, 2 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 70 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-208AD | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大均方根通态电流： | 110 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1800M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elem |
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| 2N1800MPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AD |
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| 2N1801 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier |
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| 2N1801 | NJSEMI |
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T7A/T7B |
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| 2N1801E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 720V V(DRM), 720V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
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| 2N1801M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 700V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Elem |
|
| 2N1801MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 700V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element, TO-208AD |
|
| 2N1801PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 700V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
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| 2N1802 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
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| 2N1802 | NJSEMI |
获取价格 |
T7A/T7B |
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